充电器和适配器等快充设备 ，快充需匹配高功率密度与宽电压输出规模的芯片快充芯片 。深圳银联宝 。特性科技 。快充推出的芯片20V单。高压 。特性带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE ，快充集成高压发动 、芯片功率器材和。特性维护电路 。快充 ，芯片省去外部Boost/Buck电路及分立元件 ，特性缩小 。快充PCB 。芯片面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路 ，特性支撑宽电压输出 ，切莫错失 ！
PD快充芯片U8725AHE首要特性 ：
1. 集成 高压 E-GaN 。
2. 集成高压发动功用 。
3. 超低发动和作业 。电流 。 ，待机功耗。 <30mW
4. 谷底确定形式， 最高作业频率两档可调(220kHz ，130kHz) 。
5. 集成 EMI 优化技能 。
6. 驱动电流分档装备。
7. 集成 Boost 供电电路 。
8. 集成齐备的维护功用 ：
VDD 过压/欠压维护 (VDD OVP/UVLO) 。
输出过压/欠压维护 (DEM OVP/UVP) 。
输入过压/欠压维护 (LOVP /BOP) 。
片内过热维护 (OTP) 。
逐周期电流约束 (OCP) 。
反常过流维护 (AOCP)。
短路维护 (SCP)。
过载维护 (OLP) 。
前沿消隐 (LEB) 。
CS 管脚开路维护 。
9. 封装类型 ESOP-7 。
针对宽输出电压使用场合 ，为了满意VDD的宽电压使用需求 ，往往需求增加额定的电路或许辅佐绕组 ，导致体系功耗和电路本钱的增加 。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供电技能，仅在SW管脚增加一颗贴片电感即可 ，在输出电压较低时 ，Boost电路发动作业 ，保持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10.1V)，当输出电压升高，辅佐绕组电压高于VBOOST_REG时 ，Boost电路停止作业，VDD由辅佐绕组供电 。
PD快充芯片U8725AHE引脚阐明：
1 CS I/O 。 电流采样 。输入 、最高频率挑选管脚。
2 FB I 体系反应输入管脚 。
3 DEM I/O 消磁检测 、输出 OVP 检测 、驱动才能分档断定管脚 。
4 VDD P 芯片供电管脚 。
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 。
6 GND P 芯片参阅地 。
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压发动供电管脚 。
深圳银联宝科技这款20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，经过高集成规划 、动态功率安稳、谷底确定及降频作业形式等高效能体现 ，明显优化了体系体积 、可靠性和能效 ，成为快充设备 。电源芯片 。计划的抱负挑选！
